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[发明专利]一种直拉单晶法的冷却工艺-CN201210462789.3有效
发明人：周慧敏;高俊伟;汪奇;徐志群 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种直拉单晶法的冷却工艺，即在冷却时，停止向炉体内通入冷却气体，与此同时，关闭真空泵，这样，就形成了一个密闭的空间，炉体内的气体作为介质就可以把更多的热传给炉壁流动的水，冷却效率更高。本发明在保证直拉单晶硅棒质量、成晶率以及生产周期的前提下，不仅使直拉法冷却工艺更加高效明显，还大大降低了冷却气体的使用量，从而较大程度上降低直拉法的生产成本。
一种直拉单晶法冷却工艺

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法-CN200510059736.7无效
发明人：鹿岛一日儿 -专利权人：东芝陶瓷股份有限公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：使用由砷与硅的混合烧结体构成的、硅对砷的摩尔比为35％～55％的砷掺杂剂，用直拉法直拉单晶硅。
单晶硅掺杂及其制造方法以及使用

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[发明专利]多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用-CN201910414330.8有效
发明人：宮尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及硅制造领域，特别涉及多晶硅选择方法、多晶硅及其在直拉法中的应用。包括以下步骤：将多晶硅原料切割为多晶硅板；对所述多晶硅板的表面进行研磨处理及蚀刻处理，得到多晶硅试样；在荧光灯条件下，对所述多晶硅试样的表面进行观察，根据所述多晶硅试样的表面形态特征，判断并选择最适合用于直拉法的多晶硅原料该多晶硅选择方法，可以通过肉眼直接观察的方式，判断并选择出较为适合用于直拉法的多晶硅原料，所述方法简单、快速、明确，且判断的准确率高。本发明选择出的多晶硅原料经过直拉法生产单晶硅时，融化速度快，较少出现错乱，解决了由于多晶硅原料筛选不当导致的单晶硅的质量差、生产效率低的问题。
多晶选择方法及其直拉法中的应用

[发明专利]一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法-CN201210059756.4无效
发明人：张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀直拉区熔气掺法

[实用新型]一种直拉法硅单晶生产炉台副室自动定位机构-CN202122383480.2有效
发明人：景吉祥;郭谦;张文霞;王林;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉法硅单晶生产炉台副室自动定位机构，包括：用于限位直拉法硅单晶生产炉台副室与副室隔离仓的自动定位装置。
一种直拉法硅单晶生产炉台自动定位机构

[实用新型]直拉法生长单晶热场的石墨坩埚-CN201220709097.X有效
发明人：吴亚军;李宗斌;梁会宁;胡元庆 -专利权人：海润光伏科技股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长单晶热场的石墨坩埚，其特征在于它由四瓣或者四瓣以上相同结构的石墨坩埚单元（1）拼接而成，所述石墨坩埚单元（1）的R角半径为100~150mm。本实用新型直拉法生长单晶热场的石墨坩埚具有圆角部位不容易开裂，提高使用寿命的优点。
直拉法生长单晶热场石墨坩埚

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法

[发明专利]感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法和装置及单晶炉-CN201811548809.2在审
发明人：肖学峰;张学锋;韦海成;张欢 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法，晶体生长的阶段，在坩埚外侧设置辅助温场，所述坩埚自身可发热，将所述辅助温场放置于坩埚径向延伸的坩埚侧壁外侧的位置，通过所述辅助温场加热坩埚内熔体，提高坩埚内熔体的纵向温度梯度，本发明技术方案中，通过在坩埚外侧增加辅助温场，为坩埚内熔体加热，这样就能抵消熔体液面上方裸露出的坩埚的侧壁对熔体产生的热量，保证晶体生长所需的温度梯度，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热装置，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的单晶炉。
坩埚感应加热直拉法单晶温场内熔体生长辅助加热晶体生长单晶炉辅助加热装置纵向温度梯度方法和装置加热坩埚径向延伸外侧设置温度梯度坩埚侧壁侧壁对体液熔体加热抵消发热保证

[发明专利]一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法-CN201811519495.3有效
发明人：张颖武;韩焕鹏;赵堃;李明佳;莫宇;张伟才;赵权;刘锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：在直拉法硅单晶生长过程中，增加氨气高温离解装置，将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g)，N(g)溶解于硅熔体，并扩散至单晶生长固、液交界面处，然后随着生长过程的进行，进入硅单晶内部，实现氮掺杂过程，抑制硅单晶COP缺陷；与传统的氮气气氛掺氮法相比，氨气离解温度低、离解效率高，易于实现氮元素掺杂效果，有助于制备直拉法低COP缺陷硅单晶。氨气离解温度低意味着加热功率更低，氨气离解效率高意味着所需气源更少，因此，这将大大降低生产成本，可适用于直拉法低COP缺陷硅单晶的批量生产。
一种制备 cop 缺陷硅单晶掺杂方法

[实用新型]直拉法单晶炉-CN201420733586.8有效
发明人：陈五奎;李军;耿荣军;樊茂德;冯加保 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀的直拉法单晶炉。
直拉法单晶炉

[发明专利]一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺-CN201110226261.1有效
发明人：马四海;张笑天;丁磊;徐大国;马先松;马青 -专利权人：马鞍山明鑫光能科技有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成，降低了头部电阻率，提高了单晶品质，适用于目前CZ直拉法生长的各尺寸单晶产品的生长。
一种 cz 直拉法太阳能生长工艺

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

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